某有限公司的筆試題
1．畫出NMOS的特性曲線（指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和C-V曲線）
2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。
3．說出制作N-well的工藝流程。
4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區(qū)別。
5．用CMOS畫一個D觸發(fā)器（clk，d，q，q-）。
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